特許
J-GLOBAL ID：200903006109702726
カーボンナノチューブ接合体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-402668
公開番号（公開出願番号）：特開2002-206169
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】 基盤に対して、密着性が高いカーボンナノチューブ接合体の提供。【解決手段】 対向電極13によって電界が形成され、メタンガスが充填された領域中に、 Ni表面層を有する成長用基板12と支持基板1とを対向配置し、成長したカーボンナノファイバー12の先端に存在するNi粒子4が成長用基板12に接触するまでカーボンナノチューブ2を成長させることで、カーボンナノチューブを支持基板1に接合した後、成長用基板を除去する。
請求項（抜粋）：
カーボンナノチューブの成長作用を持つ金属触媒を含有する成長用基板と接合面を有する支持基板とを対向配置し、前記成長用基板および前記支持基板間に電界を印加しながら前記成長用基板および前記支持基板間に前記カーボンナノチューブの原料ガスを導入して前記成長用基板表面から前記カーボンナノチューブを前記支持基板に接触するまで成長させることで、前記カーボンナノチューブを前記支持基板に接合し、前記成長用基板を除去することを特徴とするカーボンナノチューブ接合体の製造方法。
IPC (7件)：
C23C 16/26
, C01B 31/02 101
, C23C 16/01
, H01J 1/304
, H01J 9/02
, B82B 1/00
, B82B 3/00
C23C 16/26
, C01B 31/02 101 F
, C23C 16/01
, H01J 9/02 B
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, H01J 1/30 F
4G046CA02
, 4G046CB01
, 4G046CB09
, 4G046CC06
, 4G046CC08
, 4K030AA09
, 4K030AA18
, 4K030BA27
, 4K030CA06
, 4K030FA03
, 4K030FA10
, 4K030HA04
, 4K030LA00
