特許

J-GLOBAL ID：200903006124828663

アライメントマークの形成方法及びアライメント方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 大越 健
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154679
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004049
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】半導体装置製造の特にリソグラフィ工程における下地とのアライメント技術に関し、下層パターンに上層パターンをアライメントする際、下層パターンのアライメントマークが検出できないことを解決する。【解決手段】半導体装置に複数の高精度アライメント用のマークを配置し、状況に応じて少なくとも2組以上の前記高精度アライメント用のマークを検出する。半導体装置113の周辺に6種類のアライメントマークがスクライブ上に形成されている。X方向のファインアライメント用のマークが101、102、103、104、105、106がそれぞれ形成されている。またY方向のファインアライメントマーク107、108、109、110、111、112がそれぞれ形成されている。こうして半導体装置上のアライメントマークの内、最低X方向、Y方向、1つずつ以上検出できればアライメント可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体装置製造において、下層パターン上に上層パターンを形成するためのマスキングパターンを形成する工程において、半導体基板上に形成された半導体装置に位置合わせを行うべき下層パターンの半導体基板上での位置を特定するためのアライメントマークを水平方向、垂直方向、それぞれの形状もしくは構造が異なる少なくとも2組以上のマークを形成することを特徴とするアライメントマークの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (3件)：

H01L 21/30 520 A ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 525 W

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-186717
  
• 位置合わせ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038076   出願人：株式会社ニコン
• 特開昭63-262835