特許
J-GLOBAL ID：200903051721558257

位置合わせ方法

発明者：
水谷 真士

水谷 真士 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038076
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249558
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 既に複数層のパターンが形成された基板(半導体ウエハ、ガラスプレート等)上に重ねてパターンを露光する際に、位置ずれ量を小さくする。【構成】 ショット領域45上に3層の回路パターンが形成され、1層目〜3層目にそれぞれX軸用のウエハマーク42XA〜42XC、及びY軸用のウエハマーク42YA〜42YCが付設されている。これから露光するレチクルのパターンが1層目及び2層目の回路パターンと関連する場合、1層目のウエハマーク42XA,42YA及び2層目のウエハマーク42XB,42YBの座標値に基づいてショット領域45とレチクルのパターンとの位置合わせを行う。
請求項（抜粋）：
マスクパターンを基板上の既に複数層のパターンが形成されている所定の露光領域に露光する際に、前記所定の露光領域と前記マスクパターンとの位置合わせを行う方法において、前記複数層のパターン内に前記マスクパターンと関連があると共にそれぞれ位置合わせ用のマークが付設された複数層のパターンが存在する場合、前記マスクパターンと関連のある複数層のパターンのそれぞれに付設された位置合わせ用のマークの座標値に基づいて前記所定の露光領域と前記マスクパターンとの位置合わせを行うようにしたことを特徴とする位置合わせ方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 9/00
FI (3件)：
H01L 21/30 525 D ,  H01L 21/30 522 B ,  H01L 21/30 525 L
引用特許：
審査官引用 (4件)
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