特許

J-GLOBAL ID：200903006146112920

改善された炭化ケイ素複合体及びその製造方法

発明者： ワッグナー, ダブリュー., マイケル ,  ロッシング, バリー, アール. ,  リッチモンド, マイケル, エー. ,  アゲジャニアン, マイケル, エー. ,  マコーミック, アリン, エル.
出願人/特許権者： エム キューブド テクノロジーズ, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 山田 行一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-512469
公開番号（公開出願番号）：特表2003-505329
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月12日
要約：

【要約】浸透プロセスによって作製される改善された炭化ケイ素複合体は、種々の残余シリコン相に加えて金属相を特徴とする。例えば改善された機械的強靱性だけでなく、浸透材は凝固に際し膨張量が非常に減少するように調整されており、これにより、網状形状を作製する能力を増大する。さらに、複数成分浸透材料は、純粋なシリコンより低い液相線温度を有してもよく、これにより、浸透プロセスにおいて作業者に良好な制御性を提供する。特に、浸透はより低い温度で行われてもよく、この場合、一旦浸透材が塊及び埋設材料の間で境界まで透過性の塊を通して移動すると、低コストであるが効果的な埋設材料またはバリア材が浸透プロセスを終了させることができる。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素複合体材料を製造する方法であって、 炭素を含む透過性塊を提供するステップと、 シリコン及び少なくとも1つの金属又は半金属を含む浸透材材料を提供するステップと、 前記浸透材材料をその液相線温度を超える温度に加熱して、溶融浸透材材料を形成するステップと、 前記溶融した浸透材材料を前記透過性塊に接触させるステップと、 前記溶融した浸透材材料を前記透過性塊内に浸透させ、前記シリコンの少なくとも一部と前記炭素の少なくとも一部とを反応させ、炭化ケイ素と、前記シリコン及び前記少なくとも1つの金属を含む合金とを含む複合体本体を形成するステップと を含み、前記合金は、凝固の際に約-5%〜約+7%の範囲の体積変化を示す化学組成を有する、方法。

IPC (2件)：

C04B 35/573 ,  C04B 35/565

FI (5件)：

C04B 35/56 101 V ,  C04B 35/56 101 A ,  C04B 35/56 101 Y ,  C04B 35/56 101 C ,  C04B 35/56 101 N

Fターム (21件)：

4G001BA03 ,  4G001BA22 ,  4G001BA36 ,  4G001BA60 ,  4G001BA61 ,  4G001BA62 ,  4G001BA63 ,  4G001BB03 ,  4G001BB22 ,  4G001BB36 ,  4G001BB60 ,  4G001BB61 ,  4G001BB62 ,  4G001BB63 ,  4G001BC47 ,  4G001BC52 ,  4G001BD03 ,  4G001BD05 ,  4G001BD16 ,  4G001BD23 ,  4G001BD38

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-006264   出願人：住友金属工業株式会社, 株式会社ブリヂストン