光電変換装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-166593
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004702
出願日： 2007年06月25日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】透明電極/p型半導体層の界面での膜剥離が生じ難い光電変換装置を提供する。【解決手段】本発明の光電変換装置は、透光性基板上に、透明電極、少なくとも1つの光電変換層及び裏面電極をこの順に重ねて備え、前記少なくとも1つの光電変換層は、それぞれ、pin接合を有し且つシリコン系半導体からなり、前記透明電極は、SnO2を含む材料からなり、前記透明電極に接するp型半導体層は、前記透明電極側から順にp型微結晶層及びp型非晶質層を重ねて備えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透光性基板上に、透明電極、少なくとも1つの光電変換層及び裏面電極をこの順に重ねて備え、前記少なくとも1つの光電変換層は、それぞれ、pin接合を有し且つシリコン系半導体からなり、前記透明電極は、SnO2を含む材料からなり、前記透明電極に接するp型半導体層は、前記透明電極側から順にp型微結晶層及びp型非晶質層を重ねて備えることを特徴とする光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 W

Fターム (14件)：

5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051BA11 , 5F051CA16 , 5F051CA17 , 5F051CA22 , 5F051CB12 , 5F051DA04 , 5F051DA15 , 5F051DA20 , 5F051FA02 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜光電変換モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-238708 出願人：鐘淵化学工業株式会社

審査官引用 (7件)

特開昭60-239068
特開昭61-224368
特開平4-056170

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