半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-185773
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031636
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】配線系のダミーパターンの面積率や周辺長を確保し、また、コンタクトホールのダミーパターンを設け、製造プロセス上での安定加工の達成と加工ばらつきの低減を実現する。【解決手段】配線系ダミーパターンとしてメッシュ型(ホール型)ダミーパターンを使用し、小面積で必要な面積率、周辺長を維持する。また、第1配線層の配線系第1ダミーパターン2aと、第2配線層の配線系第2ダミーパターン4aと、第1及び第2ダミーパターンを接続するコンタクトホールのダミーパターン5を配置し、製造プロセス上での加工ばらつきを低減する。また、通常パターンとダミーパターンのセパレーションを通常パターンの最小セパレーションより大きくし、配線容量を低減する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：