特許
J-GLOBAL ID：200903006204991921

光半導体素子

発明者：
為本 広昭

為本 広昭 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-181770
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358371
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 LEDチップがフリップチップボンディングされてなり、十分な放熱特性を有する光半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上に、n型窒化ガリウム系半導体層と、その上に発光層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、p型窒化ガリウム系半導体層上に形成されたp電極と、そのp電極の一部に形成されたpパッド電極とを有する発光素子チップと、正負の電極を有する基材とを備え、基材の正電極と発光素子チップのpパッド電極及び基材の負電極と発光素子チップのn電極とが互いに導電性接合部剤によって接合されてなる光半導体素子であって、発光素子チップのp電極と基材の正電極とは絶縁膜を介して対向し、互いに対向するp電極と正電極との間で熱が伝達されるようにp電極上の絶縁膜と正電極の間に接合部剤が充填されるようにした。
請求項（抜粋）：
基板上に、一部にn電極が形成されたn型窒化ガリウム系半導体層と、上記n電極が形成された一部を除く上記n型窒化ガリウム系半導体層上に上記n電極とは離れて、発光層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、上記p型窒化ガリウム系半導体層上に上記発光層全体に電流を注入するように形成されたp電極と、そのp電極の一部に形成されたpパッド電極とを有する発光素子チップと、負電極及び正電極を有する基材とを備え、上記発光素子チップの上面は、上記pパッド電極及び上記n電極上の、上記負電極及び上記正電極と接合される部分を除いて絶縁膜で覆われ、上記基材の正電極と上記発光素子チップのpパッド電極とが互いに導電性接合部材によって接合され、かつ上記基材の負電極と上記発光素子チップのn電極とが互いに導電性接合部材によって接合されてなる光半導体素子であって、上記発光素子チップのp電極と上記基材の正電極とは上記絶縁膜を介して対向し、上記p電極上の絶縁膜と上記正電極の間に上記導電性接合部材が充填されるようにした光半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/02
FI (3件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/02 F
Fターム (15件)：
5F041AA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F044KK02 ,  5F044LL04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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