特許

J-GLOBAL ID：200903072415765653

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 山田 孝夫 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028840
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223846
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザチップをヒートシンク、サブマウント等にボンディングするにあたり、主として、チップの放熱が十分に行われるレーザ素子の新規な構造を提供して、素子寿命を向上させ、連続発振できるようにすると共に、レーザ素子の信頼性を向上させる。【構成】 同一面側に正負一対の電極を有するレーザチップが、支持体にフェイスダウンでボンディングされてなるレーザ素子であって、前記支持体の表面には絶縁膜が形成されると共に、その絶縁膜の表面にリード電極が形成されており、前記レーザチップの少なくとも一方の電極が前記リード電極にボンディングされていることにより、金属製の支持体を用いることができるため、放熱性が高まる。

請求項（抜粋）：

同一面側に正負一対の電極を有するレーザチップが、支持体にフェイスダウンでボンディングされてなるレーザ素子であって、前記支持体の表面には絶縁膜が形成されると共に、その絶縁膜の表面にリード電極が形成されており、前記レーザチップの少なくとも一方の電極が前記リード電極にボンディングされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/043

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/04 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-194224   出願人：ローム株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-042126   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開平2-281679
  
• 特開平4-237179