特許
J-GLOBAL ID:200903006216189454
磁気デバイスのピン止め層
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-068714
公開番号(公開出願番号):特開2000-307171
出願日: 2000年03月13日
公開日(公表日): 2000年11月02日
要約:
【要約】【課題】 従来技術の欠点を克服し、高い動作温度で強力なピン止め効果を起こす磁気抵抗構造を得ること。【解決手段】 磁気デバイスは、強磁性層と直接接触する反強磁性層を含み、強磁性層に交換バイアスを生じる。従って、強磁性層は反強磁性層によりピン止めされる。反強磁性層は高い動作温度に適した化合物を含む。
請求項(抜粋):
少なくとも反強磁性層が強磁性層と接触し、該強磁性層に交換バイアスが生じ、該反強磁性層はオルトフェライトのグループの化合物を含む、磁気デバイス。
IPC (7件):
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/22
, H01F 10/32
, H01F 41/18
, H01F 41/22
, H01F 41/30
FI (7件):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/22
, H01F 10/32
, H01F 41/18
, H01F 41/22
, H01F 41/30
引用特許:
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