特許
J-GLOBAL ID：200903057500521691
磁気抵抗効果素子および磁気変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267738
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148651
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 実用上十分な信頼性を示す反強磁性層の提供と、大きなMR変化率を示し、印加磁場が例えば-10〜10Oe程度のきわめて小さい範囲で直線的なMR変化の立ち上がり特性を示し、磁場感度が高く、高周波磁界でのMR傾きが大きく、耐熱温度の高い磁性多層膜を備えてなる磁気抵抗効果素子、およびそれを用いた磁気抵抗効果型ヘッド等の磁気変換素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果素子と、導体膜と、電極部とを含む磁気変換素子であって、前記導体膜は、前記電極部を介して前記磁気抵抗効果素子と導通しており、前記磁気抵抗効果素子は、非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために強磁性層の上(非磁性金属層と接する面と反対側の面)に形成されたピン止め層とを有する磁性多層膜を備えており、前記ピン止め層はFeOX (1.35≦x≦1.55、単位は原子比)からなるように構成する。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果素子と、導体膜と、電極部とを含む磁気変換素子であって、前記導体膜は、前記電極部を介して前記磁気抵抗効果素子と導通しており、前記磁気抵抗効果素子は、非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために強磁性層の上(非磁性金属層と接する面と反対側の面)に形成されたピン止め層とを有する磁性多層膜を備えており、前記ピン止め層はFeOX (1.35≦x≦1.55、単位は原子比)からなることを特徴とする磁気変換素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, H01F 10/08
, H01L 43/10
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, H01F 10/08
, H01L 43/10
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
