特許
J-GLOBAL ID:200903006218616198
発光変換素子を備えた、光を放射する半導体ボディの製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-564402
公開番号(公開出願番号):特表2003-526212
出願日: 2001年03月02日
公開日(公表日): 2003年09月02日
要約:
【要約】本発明は発光変換素子が半導体ボディ(1)上に直接設けられている半導体デバイスの2つの製造方法に関する。第1の方法では定着剤及び少なくとも1種の蛍光体(5)を含有する懸濁液(4)を半導体ボディ(1)に層状に塗布する。次の工程で溶剤を揮発させ、蛍光体(5)だけが定着剤と共に半導体ボディ上に残留する。第2の方法では半導体ボディ(1)に定着剤層(6)を設け、この上に蛍光体(5)を直接設ける。
請求項(抜粋):
支持体部材(2)上に取り付けられかつ電気的に接続された半導体ボディ(1)と発光変換素子とを有し、この発光変換素子は少なくとも1種の蛍光体(5)を有しかつ半導体ボディ(1)上に設けられている、光を放射する半導体デバイスの製造方法において、 半導体ボディ(1)を製造し、支持体部材(2)上に取り付け、電気的に接続する工程、 溶剤として酢酸ブチルを含有しかつ少なくとも1種の定着剤と少なくとも1種の蛍光体(5)とが混入されている懸濁液(4)を半導体ボディ(1)の少なくとも1つの表面上に層状に塗布する工程、 半導体デバイスを乾燥し、その際、基本的に蛍光体(5)を半導体ボディ(1)上に残留させる工程を特徴とする、光を放射する半導体デバイスの製造方法。
IPC (3件):
H01L 33/00
, C09K 11/56 CPC
, C09K 11/80 CPM
FI (3件):
H01L 33/00 N
, C09K 11/56 CPC
, C09K 11/80 CPM
Fターム (20件):
4H001XA08
, 4H001XA13
, 4H001XA16
, 4H001XA20
, 4H001XA31
, 4H001XA34
, 4H001XA38
, 4H001XA39
, 4H001XA49
, 4H001XA64
, 4H001XA65
, 4H001YA11
, 4H001YA17
, 4H001YA58
, 5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041DA19
, 5F041DA43
, 5F041EE25
, 5F041FF11
引用特許:
前のページに戻る