特許

J-GLOBAL ID：200903005244489807

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 古 川 千 里 ,  菅 原 秀 人 ,  鈴 木 伸 洋
出願人/特許権者： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362839
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177145
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 選択成長で形成される半導体発光素子の発光効率を向上させる。【解決手段】 サファイア基板11上に少なくとも一層はELOで成長が行われるGaN系層12〜14が積層形成されるが、その際用いられる選択成長マスク材層15に紫外光を可視光に変換する蛍光体が含ませられる。この蛍光体が紫外光を可視光に変換するため、中心発光型、UV発光型のいずれの発光素子においても紫外光と蛍光体との結合効率が向上する。パッシベーション膜21に蛍光体をさらに含ませるようにすることによりさらに効率が向上する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、前記絶縁基板の上に積層形成されたGaN系積層膜であって、その一つの層が紫外光を可視光に変換する蛍光体を含む選択成長マスク材層を用いて成長されたGaN系膜であるGaN系積層膜と、このGaN系積層膜の上に形成された、少なくとも紫外光成分を発光する活性層と、を積層構造として有する半導体発光素子。

Fターム (8件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041EE11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-237492   出願人：株式会社東芝
• GaN系半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-064360   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-322132   出願人：豊田合成株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-338114   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩