特許
J-GLOBAL ID:200903006229315238
ペルチェ素子による温度制御装置及び温度制御方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
高橋 昌久
, 花田 久丸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-021193
公開番号(公開出願番号):特開2004-261210
出願日: 2003年01月29日
公開日(公表日): 2004年09月24日
要約:
【目的】ペルチェ素子及びその接続要素を封入する真空容器及びその関連装置を設置することなくペルチェ素子及びその接続要素の断熱を可能として、装置の構造を簡単化して装置コストを低減し、温度センサによる温度検出値に基づく接触面の温度制御精度を向上し得るペルチェ素子による温度制御装置及び温度制御方法を提供する。【解決手段】ペルチェ素子と電極兼ヒートシンクとの間に直流電圧を印加して生起されるペルチェ効果によって被温度制御体に接触可能な導電体の接触面を介して該被温度制御体を急速冷却あるいは急速加熱するペルチェ素子による温度制御装置において、前記導電体及びペルチェ素子及び電極兼ヒートシンクの全部または接触面側の一部を覆う先端カバーを設け、該先端カバーの内側に形成される内封空間にガスが封入されたガス層を設けるとともに、該内封空間の導電体とガス層との間に断熱材からなる断熱層を設けたことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
一方の面を所定温度に維持された被温度制御体に導電体を介して接触可能に配置されるとともに他方の面を電極兼ヒートシンクに接触可能に配置されたペルチェ素子を備え、前記導電体に接続される接触面に前記被温度制御体を接触させ前記ペルチェ素子と電極兼ヒートシンクとの間に直流電圧を印加することにより生起されるペルチェ効果によって前記被温度制御体を急速冷却あるいは急速加熱するように構成されたペルチェ素子による温度制御装置において、前記導電体及びペルチェ素子及び電極兼ヒートシンクの全部または前記導電体側の一部を覆い前記接触面が形成された先端カバーを設け、該先端カバーの内側に形成される内封空間に空気、フロン、アルゴン等のガスが封入されたガス層を設けるとともに、該内封空間の前記導電体とガス層との間に断熱材からなる断熱層を設けたことを特徴とするペルチェ素子による温度制御装置。
IPC (3件):
A61F7/00
, A61B18/02
, F25B21/02
FI (4件):
A61F7/00 310J
, A61F7/00 300
, F25B21/02 T
, A61B17/36 310
Fターム (7件):
4C060JJ02
, 4C060MM24
, 4C099AA03
, 4C099EA20
, 4C099JA02
, 4C099NA20
, 4C099PA01
引用特許:
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