特許

J-GLOBAL ID：200903006245770115

半導体レーザ装置

発明者： 富田 章久
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339665
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152677
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 微分利得が大きく、非線形利得パラメータの小さい高速変調可能な半導体レーザを提供する。【構成】 活性層15をなす多重量子井戸の障壁層151にp型不純物をドープし、井戸層153との間に不純物をドープしない厚さ2nmから4nmのスペーサ層152が挿入されている。スペーサ層152の厚さを上記の範囲に設定すると電子の波動関数はスペーサ層152をこえて障壁層151までしみ出すが正孔の波動関数は井戸層153に局在して障壁層151にしみ出さない。そこで、電子だけが散乱されてバンド内緩和時間が短くなる。正孔のバンド内緩和時間は変化しないから、微分利得の値は大きいままで非線形利得パラメータだけが小さくなり最大変調周波数が増大する。

請求項（抜粋）：

p型不純物を1018cm-3以上含む障壁層、厚さが2nmから4nmの間で不純物をドープしていないスペーサ層及び不純物をドープしていない井戸層からなる多重量子井戸を活性層とし、前記井戸層が前記スペーサ層で挟まれ、更にその井戸層を該スペーサ層で挟んでなる半導体積層構造が前記障壁層で挟まれていることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-348094
  
• 特開平3-082115
  
• 特開昭62-035591
  
• 特開昭61-194792