特許
J-GLOBAL ID：200903006252778369
固体磁気メモリ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200261
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026281
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 大容量化が可能で、高信頼性で歩留まりが高い固体磁気メモリを提供する。【解決手段】 Si単結晶基板(11)表面に形成されたダイオード(12,13)と、ダイオードと電気的に接続された強磁性トンネル接合素子(20)と、強磁性トンネル接合素子を両脇から挟むように配置された、ダイオードと電気的に接続された第1ワードライン(18)およびダイオードと電気的に絶縁された第2ワードライン(19)と、強磁性トンネル接合素子に電気的に接続されたビットライン(22)とを有する。
請求項（抜粋）：
単結晶基板表面に形成されたダイオードと、前記ダイオードと電気的に接続された、トンネルバリア層を挟んで積層された2つの強磁性層を含む強磁性トンネル接合素子と、前記強磁性トンネル接合素子を両脇から挟むように配置された、前記ダイオードと電気的に接続された書き込み用の第1の配線および前記ダイオードと電気的に絶縁された書き込み用の第2の配線と、前記強磁性トンネル接合素子に電気的に接続された第3の配線とを具備したことを特徴とする固体磁気メモリ。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083MA06
, 5F083MA15
, 5F083NA03
, 5F083NA10
