特許
J-GLOBAL ID：200903096275028951
磁性薄膜メモリ素子およびその製造方法ならびに記録再生方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155224
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003584
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 高集積化が可能であり、情報の高い保存安定性を有し、安定して記録再生可能な磁性薄膜メモリ素子を提供する。【解決手段】 基板上に、主に膜面内の一方向に磁化配向しており低い保磁力を有する第1磁性層と、主に膜面内の一方向に磁化配向しており高い保磁力を有する第2磁性層が非磁性層を介して積層され、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化が平行の時は低い抵抗値を示し、反平行の時は高い抵抗値を示す磁気抵抗素子であって、外部磁界が0の時に、第1磁性層が非磁性層の端面に接するように湾曲して第2磁性層の端面と接する、あるいは第2磁性層が非磁性層の端面に接するように湾曲して第1磁性層の端面と接することにより閉磁路構成をなす磁性薄膜メモリ素子。
請求項（抜粋）：
基板上に、主に膜面内の一方向に磁化配向しており低い保磁力を有する第1磁性層と、主に膜面内の一方向に磁化配向しており高い保磁力を有する第2磁性層が非磁性層を介して積層され、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化が平行の時は低い抵抗値を示し、反平行の時は高い抵抗値を示す磁気抵抗素子であって、外部磁界が0の時に、第1磁性層が非磁性層の端面に接するように湾曲して第2磁性層の端面と接する、あるいは第2磁性層が非磁性層の端面に接するように湾曲して第1磁性層の端面と接することにより閉磁路構成をなすことを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
引用特許：
引用文献：
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