特許
J-GLOBAL ID：200903006281777002
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114449
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302912
出願日： 1994年04月29日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス回路において、遮光方法を提供する。【構成】 ソース線102から延在した配線・電極112によって、薄膜トランジスタのチャネル形成領域105を覆うことによって、薄膜トランジスタの上方より照射される光がチャネル形成領域に侵入することを防止し、薄膜トランジスタの特性を安定させる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成されたアクティブマトリクス回路において、各画素には、薄膜トランジスタと画素電極が形成されており、前記薄膜トランスタのソースまたはドレインの一方は前記画素電極と接続されており、前記薄膜トランジスタのソースまたはドレインの他方に接続される配線または電極は、少なくとも前記薄膜トランジタのチャネル形成領域を覆って形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 311 N
, H01L 29/78 311 S
