特許
J-GLOBAL ID：200903006292914923

マスクブランクスの製造方法

発明者：
樋口 孝雄

樋口 孝雄 について

, 
小林 英雄

小林 英雄 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (3件)： 阿仁屋 節雄 ,  油井 透 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-106368
公開番号（公開出願番号）：特開2004-314069
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】 高分子型レジストや化学増幅型レジストを、高い生産性をもって塗布し、膜厚の面内均一性が保たれ、安定した機能を有するレジスト膜が形成されたマスクブランクスの製造方法を提供する。【解決手段】 所定の大きさを有する四角形状の基板1上にレジスト液3を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間で基板1を回転させ、レジスト膜6の膜厚を主に均一化させ、この後、前記主回転数よりも低い第1乾燥回転数で第1乾燥回転時間回転させた後、前記第1乾燥回転数よりも高い第2乾燥回転数で第2乾燥回転時間回転させて、前記均一化されたレジスト膜6を主に乾燥させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
所定の大きさを有するマスクブランク用基板の主表面上にレジスト液を滴下した後、所定の主回転数と所定の主回転時間とで前記基板を回転させ、主に、前記滴下されたレジストを前記基板の主表面上で、均一な膜厚を有する膜とさせる均一化工程と、 前記均一化工程の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間とで前記基板を回転させ、主に、前記均一な膜厚を有するレジストを、乾燥させる乾燥工程と、を有するマスクブランクの製造方法であって、 前記乾燥工程は、前記均一化工程によって、前記基板の主表面上で均一な膜厚を有する膜となっている前記レジストを、膜厚及び膜厚の面内均一性が殆ど変化しなくなるまで前記主回転数よりも低い第1乾燥回転数で基板を回転させて基板の主表面上に形成されたレジストを乾燥させた後、前記第1乾燥回転数よりも高い第2乾燥回転数で基板を回転させて、前記基板の側面に形成されたレジストを乾燥させるようにしたことを特徴とするマスクブランクの製造方法。
IPC (5件)：
B05D1/40 ,  B05D1/38 ,  G03F1/08 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027
FI (5件)：
B05D1/40 A ,  B05D1/38 ,  G03F1/08 Z ,  G03F7/16 502 ,  H01L21/30 564D
Fターム (19件)：
2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025EA05 ,  2H025EA10 ,  2H095BC01 ,  4D075AC64 ,  4D075AC94 ,  4D075BB20Z ,  4D075BB24Z ,  4D075BB63Z ,  4D075BB95Z ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC24 ,  4D075EA45 ,  5F046JA13 ,  5F046JA22
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特公平4-29215号公報
審査官引用 (6件)
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