特許

J-GLOBAL ID：200903006316957254

単結晶の製造方法

発明者： ウィルフリート・フォン・アモン ,  リディガー・シュモルク ,  ディーター・グレフ ,  ウルリッチ・ランバート
出願人/特許権者： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146668
公開番号（公開出願番号）：特開2000-007486
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：

【要約】【課題】 欠陥密度を可能な限り小さくでき、かつ満足されるGOIを含むシリコン半導体ウェーハを製造できるプロセスを提供する。【解決手段】 酸素及び窒素でドーピングされる間にチョクラルスキー法を使って引き上げられるシリコン単結晶の製造方法において、前記単結晶が引き上げられる間に6.5×1017原子/cm3未満の濃度の酸素、及び5×1013原子/cm3超の濃度の窒素でドーピングされることを特徴とする前記製造方法。

請求項（抜粋）：

酸素及び窒素でドーピングされる間にチョクラルスキー法を使って引き上げられるシリコン単結晶の製造方法において、前記単結晶が引き上げられる間に6.5×1017原子/cm3未満の濃度の酸素、及び5×1013原子/cm3超の濃度の窒素でドーピングされることを特徴とする前記製造方法。

IPC (2件)：

C30B 15/04 ,  C30B 29/06

FI (2件)：

C30B 15/04 ,  C30B 29/06 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201762   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト