低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩野平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-201762
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098047
出願日： 1997年07月28日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも4×1017/cm3 であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。【解決手段】低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、a)酸素ドーピング濃度が少なくとも4×1017/cm3 であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、850°C〜1100°Cの温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が80分未満であり;b)単結晶を加工してシリコンウエハを形成し;そしてc)シリコンウエハを少なくとも1000°Cの温度で少なくとも1時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。

請求項（抜粋）：

低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、a)酸素ドーピング濃度が少なくとも4×1017/cm3 であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、850°C〜1100°Cの温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が80分未満であり;b)単結晶を加工してシリコンウエハを形成し;そしてc)シリコンウエハを少なくとも1000°Cの温度で少なくとも1時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。

引用特許：

審査官引用 (9件)

シリコン単結晶の熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-188540 出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
シリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-128062 出願人：信越半導体株式会社
特開平3-193698

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