特許

J-GLOBAL ID：200903006324417650

連想メモリ装置

発明者： 籏 竜一 ,  小西 正洋 ,  金沢 直樹
出願人/特許権者： 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038312
公開番号（公開出願番号）：特開2003-242784
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】動作スピードおよび消費電力に対するユーザの幅広い要求に柔軟に対応可能な連想メモリ装置を提供する。【解決手段】動作モード設定手段を設け、内部電圧発生回路により、動作モード設定手段の設定に応じて、外部から供給される電源電圧よりも高いまたは低い内部電圧を発生する。そして、内部回路の少なくとも一部を、内部電圧発生回路によって発生される内部電圧で動作させるようにする。

請求項（抜粋）：

連想メモリセルに記憶される記憶データと外部から供給される検索データとの一致検索を行う連想メモリ装置であって、動作モード設定手段と、この動作モード設定手段の設定に応じて、外部から供給される電源電圧よりも高いまたは低い内部電圧を発生する内部電圧発生回路とを備え、内部回路の少なくとも一部が、前記内部電圧発生回路によって発生される内部電圧で動作することを特徴とする連想メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 15/04 ,  G11C 15/04 631

FI (2件)：

G11C 15/04 C ,  G11C 15/04 631 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-042270   出願人：松下電器産業株式会社
• 連想メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-011005   出願人：川崎製鉄株式会社