特許

J-GLOBAL ID：200903006331341995

MOSトランジスタ及びその製造方法

発明者： ベルンハルト ルスティヒ ,  ヘルベルト シェーファー ,  ローター リッシュ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-254167
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102582
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 ショートチャネル型MOSトランジスタとしてCMOS-ゲート走行時間が向上しかつ立上がり電流も改善されたMOSトランジスタを提供すること。【解決手段】 半導体基板内に、第1の導電形にドーピングされたウエルを設け前記ドーピングされたウエルの表面に、エピタキシャル層を配設し、該エピタキシャル層は、1017cm-3よりも少ないドーピング濃度を有し、前記エピタキシャル層内に、第1の導電形とは逆の第2の導電形にドーピングされたソース/ドレイン領域とチャネル領域を配設し、前記ソース/ドレイン領域の深さは、前記エピタキシャル層の厚さよりも少ないか同じであるように構成する。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタにおいて、半導体基板内に、第1の導電形にドーピングされたウエルが設けられており、前記ドーピングされたウエルの表面に、エピタキシャル層が配設されており、該エピタキシャル層は、1017cm-3よりも少ないドーピング濃度を有しており、前記エピタキシャル層内に、第1の導電形とは逆の第2の導電形にドーピングされたソース/ドレイン領域とチャネル領域が配設されており、前記ソース/ドレイン領域の深さは、前記エピタキシャル層の厚さよりも少ないか同じであることを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 301 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-000548   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-179160
  
• 特開平4-179160