特許

J-GLOBAL ID：200903006332460327

太陽電池素子

発明者： 高山 道寛 ,  白沢 勝彦
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317442
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163952
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【構成】 一導電型不純物を含有する半導体基板1の表面側に、逆導電型不純物を含有する領域1aを設け、この半導体基板1の表裏面に電極2、3を形成した太陽電池素子であって、この半導体基板1の側面部および裏面側周縁部に、表面側の逆導電型不純物を含有する領域に連続して、逆導電型不純物を含有する領域を形成する。この側面部と裏面側周縁部には、電極を形成せず、この逆導電型不を含有する領域1cで光を受光できるようにした。【効果】 太陽電池素子の側面や裏面側の周縁部に照射される光も発電に寄与でき、高出力の太陽電池素子が得られる。

請求項（抜粋）：

一導電型不純物を含有する半導体基板の一主面側に、逆導電型不純物を含有する領域を設け、この半導体基板の表裏面に電極を形成した太陽電池素子において、前記半導体基板の側面部および他の主面側周縁部に、前記半導体基板の一主面側の逆導電型不純物を含有する領域に連続して逆導電型不純物を含有する領域を設け、この逆導電型不純物を含有する領域で光を受光できるようにしたことを特徴とする太陽電池素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-169378
  
• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-238095   出願人：三洋電機株式会社