特許
J-GLOBAL ID:200903006336010431
磁気トンネル接合積層型ヘッド及びその製法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-203059
公開番号(公開出願番号):特開2002-025013
出願日: 2000年06月30日
公開日(公表日): 2002年01月25日
要約:
【要約】【課題】Abutted junction型の磁区制御を磁気トンネル結合積層センサに用いた場合、永久磁石層とトンネル接合との絶縁を確保すると磁区制御力が低下し、磁区制御力を強くすると絶縁性が劣化する。【解決手段】反強磁性層と、該反強磁性層に隣接しこの層の磁化により磁気的に固定された固定強磁性層と、該反強磁性層の磁化から磁気的に自由な自由強磁性層と、これらの強磁性層間に挟まれた絶縁層と、上記自由強磁性層を磁区制御する磁区制御層と、これらの層に電流を印加する一対の電極とを有する磁気トンネル接合積層型ヘッドの上記磁区制御層は、上記自由強磁性層と上記電極の一方との間に形成された磁気トンネル接合積層型ヘッドとする。【効果】自由強磁性層の良好な磁区制御力を有する磁気トンネル接合積層センサが提供できる。
請求項(抜粋):
反強磁性層と、該反強磁性層に隣接しこの層の磁化により磁気的に固定された固定強磁性層と、該反強磁性層の磁化から磁気的に自由な自由強磁性層と、これらの強磁性層間に挟まれた絶縁層と、これらの層に電流を印加する一対の電極とを有し、上記自由強磁性層と上記電極の一方との間に、上記自由強磁性層を磁区制御する磁区制御層を形成したことを特徴とする磁気トンネル接合積層型ヘッド。
IPC (7件):
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01F 10/12
, H01F 10/16
, H01F 10/26
, H01L 43/08
, H01L 43/12
FI (7件):
G11B 5/39
, H01F 10/12
, H01F 10/16
, H01F 10/26
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
Fターム (21件):
2G017AA10
, 2G017AB03
, 2G017AD55
, 2G017CB27
, 2G017CB28
, 2G017CB29
, 2G017CD00
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034BB08
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049AA10
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB14
引用特許: