特許
J-GLOBAL ID：200903006339441107
フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-310888
公開番号（公開出願番号）：特開2001-159821
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】【解決手段】 一般式(1)のフォトレジスト重合体を含むフォトレジスト組成物は遠紫外線領域で高い透明性を有し、エッチング耐性と耐熱性が優れるだけでなく現像工程を経なくても優れたパターンを形成できることから、0.15μm(1G以上のDRAM)以下の高密度微細パターンに適用可能なArF、KrF、VUV、EUV、E-ビーム(electron-beam)及びX線等の遠紫外線領域の光源を利用したリソグラフィー工程に非常に効果的に用いることができる。【化1】前記式で、AC1及びAC2はそれぞれ脂肪族環型グループ(alicyclic group)であり、x:yは(0〜100)mol%:(0〜100)mol%である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)のポリカーボネート(polycarbonate)化合物であることを特徴とするフォトレジスト重合体。【化1】前記式で、AC1及びAC2はそれぞれアリサイクリックグループ(alicyclic group)であり、x:yは(0〜100)mol%:(0〜100)mol%である。
IPC (11件)：
G03F 7/039
, G03F 7/039 601
, C08G 64/02
, C08G 64/30
, C08K 5/00
, C08L 69/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/32
, G03F 7/38
, H01L 21/027
G03F 7/039
, G03F 7/039 601
, C08G 64/02
, C08G 64/30
, C08K 5/00
, C08L 69/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/32
, G03F 7/38
, H01L 21/30 502 R
