特許
J-GLOBAL ID：200903006347883305
窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
在原 元司
, 清水 昇
, 竹居 信利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-059178
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218322
出願日： 2008年03月10日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：
【課題】反り及び表面粗度が適性に調整された窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。【解決手段】窒化珪素原料粉に、酸化マグネシウムを3〜4重量%、少なくとも1種の希土類元素の酸化物を2〜5重量%の割合で配合し、シート成形体とし、焼結した後、複数枚重ねた状態で0.5〜6.0kPaの荷重を印加しながら1550〜1700°Cで熱処理することにより、窒化珪素を含有し、窒化珪素粒子の所定格子面のそれぞれのX線回折線強度の割合から定まる、厚さ方向に垂直な面内における配向割合を示す配向度が、表面においては0.33以下であり、表面から基板厚さの20%以上内側まで研削して得られた面においては0.16〜0.33であり、反りが2.0μm/mm以下の窒化珪素基板を製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化珪素を含有し、前記窒化珪素粒子の所定格子面のそれぞれのX線回折線強度の割合から定まる、厚さ方向に垂直な面内における配向割合を示す配向度が、表面においては0.33以下であり、表面から基板厚さの20%以上内側まで研削して得られた面においては0.16〜0.33であり、反りが2.0μm/mm以下であることを特徴とする窒化珪素基板。
IPC (3件)：
H01L 23/15
, H01L 23/13
, H05K 1/03
H01L23/14 C
, H01L23/12 C
, H05K1/03 610D
