特許

J-GLOBAL ID：200903006349524299

エッチング方法

発明者： 稲沢 剛一郎 ,  古屋 祥子 ,  小笠原 正宏
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-085575
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338479
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 被処理体の下地の膜種によらず高い選択比のエッチングを行う。【構成】 処理室2内の半導体ウエハWに対してエッチングを行う場合、エッチング反応ガスとして、Hを含まないCxFy系ガスとCOとの混合ガスを含むエッチングガスを用いる。CxFy系ガスはC4F8ガスとし、COの上記混合ガスにおける混合比率は50%以上とすることが好ましい。【効果】 対Alでは50、対SiNでは20、対TiNでは40という高い選択比が得られる。

請求項（抜粋）：

処理室内に処理ガスを導入して当該処理室内の被処理体に対してエッチングを行う方法において、前記処理ガスとして、Hを含まない少なくとも4族と7族の元素を含有するガスとCOとの混合ガスを含むエッチングガスを用いることを特徴とする、エッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-290428
  
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-030743   出願人：住友金属工業株式会社, 三菱電機株式会社
• スルーホールの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211613   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭60-274082