半導体装置の製造方法及び半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030743
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244152
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【構成】炭素(C)及びフッ素(F)から構成されるフロロカーボン系ガスであって、Cに対するFの比が3以下であるC4 F8 、C3 F8 、C2 F6 ガス等を、ECRによりプラズマ化してエッチングを行う半導体装置の製造方法。【効果】 C4 F8 、C3 F8 、C2 F6 ガス等から遊離Cを多く生成させることができ、SiO2 膜33をこの遊離Cにより分解することができ、SiO2 膜33をSiN膜31に対して高選択的にエッチングすることができ、極めて高い集積度の半導体装置を容易に製造することができる。

請求項（抜粋）：

ガスプラズマを用いて窒化シリコン膜に対して選択的に酸化シリコン膜のエッチングを行う半導体装置の製造方法において、炭素及びフッ素から構成されるフロロカーボン系ガスの一種または二種以上からなるガス、または前記フロロカーボン系ガスの一種または二種以上からなるガスに酸素含有ガスまたは炭素含有ガスの少なくとも一種を添加したガスであって、炭素に対するフッ素の比が3以下であるガスを、電子サイクロトロン共鳴(ECR)によりプラズマ化してエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-110469
特開平4-106929
特開平4-239723

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審査官引用 (6件)

軸流式水道メータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-183407 出願人：リコーエレメツクス株式会社
特開平4-110469
特開平4-106929

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