特許
J-GLOBAL ID：200903006365768564
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114755
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302787
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 基板表面のプラズマ処理プロセスにおいてイオン性処理反応とラジカル性処理反応の選択を可能とする簡便かつ安価なプラズマ処理装置を提供する。【構成】 半球状の反応室8の外周に沿い巻線状に設置したヘリカルアンテナコイル13により生成したプラズマPを反応室8内の下部に位置した基板Wに作用させるアッシング装置7において、基板Wを保持するステージ14がヘリカルアンテナコイル13の作用空間から外れた位置に設けられ、ヘリカルアンテナコイル13に印加する高周波電力を、容量結合型放電が発生する低電力領域から誘導結合型放電が発生する高電力領域までの範囲にわたって調節可能とする高周波電源16が具備されている。
請求項（抜粋）：
誘電体からなる半球状の反応室の外周に沿い上部から下部に向かって巻線状に設置したヘリカルアンテナコイルにより前記反応室内に発生させたプラズマおよびその活性種を、前記反応室内の下部に位置した基板に対して作用させるプラズマ処理装置において、前記基板を保持するステージが、前記反応室内における前記ヘリカルアンテナコイルの作用空間から外れた位置に設けられているとともに、前記ヘリカルアンテナコイルに印加する高周波電力を、容量結合型放電が発生する低電力領域から誘導結合型放電が発生する高電力領域までの範囲にわたって調節可能とする高周波電力供給手段が具備されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 C
, H01L 21/302 H
