特許

J-GLOBAL ID：200903006366878371

半導体発光素子

発明者： 渡辺 昌規 ,  佐々木 和明 ,  高橋 向星 ,  菅 康夫 ,  中津 弘志 ,  山本 修
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089123
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291617
出願日： 1992年04月09日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体発光素子の効率向上。【構成】 基板上に発光層が(Aly Ga1-y )X In1-X P(0≦x,y≦1)の組成からなるpn接合が形成された半導体発光素子において、バリア層が該発光層に隣接して形成され、その組成が(Aln Ga1-n )m In1-m P(0≦m,n≦1)であり、該バリア層に圧縮または引っ張り歪みを有することを特徴とする半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

基板上に発光層が(Aly Ga1-y )X In1-X P(0≦x,y≦1)の組成からなるpn接合が形成された半導体発光素子において、バリア層が該発光層に隣接して形成され、その組成が(Aln Ga1-n )m In1-m P(0≦m,n≦1)であり、該バリア層中に圧縮または引っ張り歪みを有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-158841   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-079056   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭61-181185
  
• 特開平1-315174
  
• 特開平1-243482