特許
J-GLOBAL ID：200903006375158853
電界放出型陰極装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270632
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130281
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 複数のカソードからなる電界放出型陰極装置において、電子放出のばらつきをおさえるとともに、電流を能動素子により制御し、信頼性を高くする。【構成】 n+ 型シリコン6の上にp型シリコン5とn型シリコン4が形成されている。n型シリコン4の上にはモリブデンMoからなるカソード1が形成され、カソード1はゲート電極2と絶縁層3により取り囲まれている。n型シリコンは接合型電界効果トランジスタのチャネル部として働き、そこを流れる電流はp型シリコン5に加えられる電圧で制御される。したがって、カソード1から放出される電子による電流もトランジスタで制御され、トランジスタの飽和領域に動作を設定することにより、各カソードの電子放出効率のばらつきを制御できる。また、一部のカソードが破壊されても、全体が壊れることはなく、電界放出型陰極装置の長寿命化が図れる。
請求項（抜粋）：
急峻な先端形状を持つ導電体からなるカソードとこのカソード取り囲むゲート電極からなる電界放出型陰極装置において、上記カソードが電流飽和特性を持つ能動素子と直列に接続され、この能動素子とゲート電極の間に電圧が加えられるとともに、カソードを流れる電流量が上記能動素子により変調され、かつ、上記能動素子の耐圧が能動素子とゲート電極の間に加えられる電圧よりも高いことを特徴とする電界放出型陰極装置。
引用特許：
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