レーザーアニール装置

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038995
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213652
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【目的】半導体に対するレーザーアニールの効果を所定のものとする。さらにその効果の再現性を高める。【構成】ガラス基板100上に成膜された非晶質珪素膜に対するレーザーアニール条件をレーザーアニールがなされた珪素膜の膜質を評価することによって、適時調整する。珪素膜の膜質の評価方法としては、エリプソメータ116、117を用いた珪素膜の屈折率の計測結果やラマン分光装置115を用いた計測結果を用いる。この膜質の評価をレーザー光の照射直後に行うことにより、リアルタイムでレーザー光の照射条件を制御し、そのアニール効果を所定のもの、さらには一定なものとすることができる。

請求項（抜粋）：

レーザー光を照射する手段と、被照射面に照射される前記レーザー光の照射エネルギーの値を計測する手段と、被照射面の膜質を評価する手段と、前記照射エネルギーの値と前記膜質とに基づいて、前記レーザー光の照射エネルギーを制御する手段と、を有することを特徴とするレーザーアニール装置。

IPC (2件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/268 Z , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-097219
特開平3-280531
特開平4-179118

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