イオンフロー制御型プラズマ源、及び、誘導フラーレンの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-271980
公開番号（公開出願番号）：特開2008-112580
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】誘導フラーレンの製造に適した低エネルギー大電流のプラズマ流を取り出すことが可能なプラズマ源と、誘導フラーレンの大量合成が可能な製造方法を提供する。【解決手段】イオンエネルギーを制御可能なプラズマ源のプラズマ発生部は、金属板2、ヒーター1、ヒーター加熱電源6から構成される。空間電位設定電極3、電子反射電極4、電子供給電極5は、互いに平行に、かつ、金属板2とほぼ平行に配置する。金属板2と空間電位設定電極3の間には、プラズマ生成電源7が接続され、空間電位設定電極3側が高電位になるように電圧が印加されている。また、接地電位に対して、空間電位設定電極3には電源8により正の電圧が印加され、電子反射電極4には、電源9により負の電圧が印加され、電子供給電極5には電源10により電極5が発熱するように電流が供給される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマを発生するプラズマ発生部と、前記プラズマの空間電位を設定する空間電位設定電極と、前記プラズマ中の電子を除去し、前記プラズマ中の正イオンを加速し、イオンビームを生成する電子反射電極と、前記イオンビームに電子を供給しプラズマ流を生成する電子供給電極とからなり、前記空間電位設定電極により前記プラズマ流におけるイオンエネルギーを制御することを特徴とするイオンフロー制御型プラズマ源。

IPC (2件)：

H05H 1/24 , C01B 31/02

FI (2件)：

H05H1/24 , C01B31/02 101F

Fターム (11件)：

4G146AA09 , 4G146AA13 , 4G146AA15 , 4G146BA04 , 4G146BA48 , 4G146BC16 , 4G146BC23 , 4G146BC50 , 4G146DA03 , 4G146DA16 , 4G146DA40

引用特許：

出願人引用 (6件)

演算素子およびその製造方法、ならびに演算装置および演算方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-259028 出願人：ソニー株式会社
不揮発性ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-343947 出願人：ソニー株式会社
米国特許20030220518号明細書

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