特許
J-GLOBAL ID：200903006433836239

半導体ウェーハの分割方法

発明者：
関家 一馬

関家 一馬 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (1件)： 佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053436
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257896
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハを分割する場合において、経済的な方法で欠けやストレスのない高品質なチップを形成する。【解決手段】 ストリートによって区画された多数の領域に回路が形成された半導体ウェーハWを個々の回路ごとの半導体チップに分割する方法であって、半導体ウェーハWの回路面をテープ部材10で被覆し、ストリートの上部を被覆しているテープ部材10をダイシングにより除去して切削溝11を形成し、ストリートの上部を被覆しているテープ部材10が除去された半導体ウェーハWに化学的エッチング処理を施しストリートを浸食して個々の半導体チップに分割する。
請求項（抜粋）：
ストリートによって区画された多数の領域に回路が形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって、該半導体ウェーハの回路面をテープ部材で被覆するマスキング工程と、該ストリートの上部を被覆しているテープ部材をダイシングして除去するテープ部材除去工程と、該ストリートの上部を被覆しているテープ部材が除去された半導体ウェーハに化学的エッチング処理を施しストリートを浸食して個々の半導体チップに分割する分割工程とから少なくとも構成される半導体ウェーハの分割方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/302 105 Z
Fターム (8件)：
5F004AA04 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BD03 ,  5F004EB04 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08
引用特許：
審査官引用 (2件)

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