特許
J-GLOBAL ID：200903006434249876
高分子超薄膜エレクトレツト及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-173615
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017595
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は高分子超薄膜エレクトレット及びその製造方法に関するもので、分子オ-ダ-の膜厚で充分な表面電荷を持つエレクトレット及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 吸着試薬としてノナデセニルトリクロロシランを用い、基板3上に化学吸着単分子膜を形成した。この単分子膜に約10Mradの電子線を照射した後、120°Cで200kV/cmの電界を印加し、高分子超薄膜エレクトレット7を形成した。【効果】 高い配向性を持った高分子超薄膜をエレクトレット化することによって、分子オ-ダ-の膜厚で高い表面電荷を有するエレクトレットを形成できる。
請求項（抜粋）：
表面電荷を有している高分子であって、前記高分子の側鎖と基体とが物理結合もしくは化学結合をしていることを特徴とする高分子超薄膜エレクトレット。
IPC (5件)：
C08J 5/18
, B29C 41/12
, C08J 7/00
, B29L 9:00
, B29L 31:34
