特許
J-GLOBAL ID：200903006460634524
可動容量構造体の製造方法及び可動容量構造体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293321
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125935
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】可動容量構造体を容易に製造することができる技術を提供すること。【解決手段】 第1の基板2の一面側に凹部21を形成し、前記凹部21の底部21aに相当する基板領域に一面側からN+層22形成する。次いで前記第1の基板2の一面側に第2の基板3を張り合わせ、凹部21を塞いで空間層4を形成した後、前記基板領域を所定の厚さに研磨する。続いて前記基板領域に他面側からN+層22を形成して当該基板領域を厚さ方向全体に亘ってn形半導体層とし、前記基板領域を他面側から一面側に突き抜けるように所定のパタ-ンでエッチングして可動部分5を形成する。こうして基板2の一部の領域の側周部及び下部と他の領域との間に電気的容量をなす空間層4が形成されて当該一部の領域が可動部分5として構成され、例えば前記可動部分5の動きに応じた容量変化を電気信号として外部に取り出す可動容量構造体が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一部の領域の側周部及び下部と他の領域との間に電気的容量をなす空間層を形成することにより当該一部の領域を可動部分として構成し、前記可動部分の動きに応じた容量変化を電気信号として外部に取り出すかまたは空間層に電気信号を与えることにより当該可動部分を動かす可動容量構造体を製造する方法において、第1の半導体基板の一面側に凹部を形成する工程と、前記凹部の底部に相当する基板領域に一面側から不純物層を形成する工程と、前記第1の半導体基板の一面側に第2の基板を張り合わせて、不純物層が形成された凹部を塞ぐ工程と、前記基板領域を所定の厚さに研磨する工程と、前記基板領域に他面側から不純物層を形成して当該基板領域を厚さ方向全体に亘ってp形またはn形半導体層とする工程と、前記基板領域を他面側から一面側に突き抜けるように所定のパタ-ンでエッチングして可動部分を形成する工程と、を含むことを特徴とする可動容量構造体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/84
, G01D 5/24
, G01P 9/04
, G01P 15/125
H01L 29/84 Z
, G01P 9/04
, G01P 15/125
, G01D 5/24 B
