特許

J-GLOBAL ID：200903006462948534

化学増幅型ホトレジスト組成物の樹脂

発明者： 陳 啓盛 ,  李 晏成 ,  鄭 孟勲
出願人/特許権者： エバーライトユーエスエー インコーポレイティッド
代理人 (1件)： 竹本 松司 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-134823
公開番号（公開出願番号）：特開2003-342323
出願日： 2003年05月13日
公開日（公表日）： 2003年12月03日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅型ホトレジスト組成物の樹脂の提供。【解決手段】 化学構造式166で示されるユニット(II)の構造を具備し、R1 はH或いはC1 -C4 のアルキル基、R2 は水酸基、C1 -C8 のアルコキシル基或いはC1 -C8 のチオアルキル基、Gは(CH2 )n 、O或いはS、そのうちnは0〜4の整数、Rcはラクトン基、mは1〜3の整数である。本発明のポリマーは良好な親水性、抗ドライエッチングの特性を有し、化学増幅型ホトレジスト組成物の製造に用いられる。この化学増幅型ホトレジスト組成物はリソグラフィー工程、特に波長193nm光源のリソグラフィー工程に使用され、極めて良好な解析度、輪郭及び感光度を有する。【化166】

請求項（抜粋）：

以下の化学構造式1において(II)で示されるユニット構造を具えたポリマーであって、【化1】そのうち、R1 はH或いはC1 -C4 のアルキル基、R2 は水酸基、C1 -C8 のアルコキシル基或いはC1 -C8 のチオアルキル基、Gは(CH2 )n 、O或いはS、そのうちnは0〜4の整数、Rcはラクトン基、mは1〜3の整数であることを特徴とする、ポリマー。

IPC (3件)：

C08F 20/10 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

C08F 20/10 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (46件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02Q ,  4J100AK32Q ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AR11Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA05P ,  4J100BA06P ,  4J100BA16Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BA51P ,  4J100BA53P ,  4J100BC04P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC58P ,  4J100BC83P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA25 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第6,271,412号
  
• 米国特許第6,280,898号
  
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-051811   出願人：東京応化工業株式会社