金属配線の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-336936
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186112
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】この発明は、エレクトロマイグレーション耐性に優れ、歩留りを向上でき、製造が簡単であることを主要な目的とする。【構成】絶縁体上にAlを含む合金膜を形成した後、この合金膜上に第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして前記合金膜を、該パターンを完全にアッシングする時間の1.5倍以上かつ2倍以下の時間でアッシング処理して金属配線を形成する工程と、前記第1のレジストパターンを有機剥離装置で5分以上,25分未満処理して除去する工程とを具備することを特徴とする金属配線の形成方法。

請求項（抜粋）：

絶縁体上にAlを含む合金膜を形成した後、この合金膜上に第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクとして前記合金膜を選択的にエッチングして金属配線を形成する工程と、前記レジストパターンを該パターンを完全にアッシングする時間の1.5倍以上かつ2倍以下の時間でアッシング処理した後、残存する前記第1のレジストパターンを有機剥離装置で5分以上,25分未満処理して除去する工程とを具備することを特徴とする金属配線の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/3213

FI (5件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/30 572 A , H01L 21/30 572 B , H01L 21/302 H , H01L 21/88 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-214729
特開平4-261018
特開平3-225830

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