有機物除去方法及びその装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-208363
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078372
出願日： 1994年09月01日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】イオン打ち込みで変質したレジストをオゾン含有ガスあるいはオゾン含有ガスと紫外線でアッシングした時に生じる残渣を低減し,薬液洗浄工程に与える負担を軽減する。【構成】オゾン含有ガスあるいはオゾン含有ガスと紫外線で変質したレジストをアッシング後,直ちに試料表面を水洗する。あるいはアッシング後,試料を大気に曝さずに水洗を行うようにする。【効果】アッシング後,直ちに水洗を行うことにより残渣数を1/100に低減することができ,薬液洗浄に与える負担を軽減でき,半導体装置等の生産コストを下げることができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハに所望の加工を行うため,該ウェーハ表面にパターニングされたフォトレジスト層を該ウェーハの加工後に除去する方法において,まずオゾン含有ガスあるいはオゾン含有ガスと紫外線により該フォトレジスト層を除去し,その後該半導体ウェーハを純水により洗浄することを特徴とする有機物除去方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平2-023610
特開平2-201916
特開平2-224233

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