特許
J-GLOBAL ID：200903006515043881
薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-258822
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097699
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】閾値電圧の低下を抑制された、電気的特性および信頼性に優れた薄膜トランジスタを提供することにある。【解決手段】ゲート絶縁膜を介して半導体層22のチャネル領域上に設けられたゲート電極24は、チャネル領域よりも小さな面積を有しているとともに、チャネル領域の輪郭線の内側に位置するように設けられている。このゲート電極は、接続電極40を介してゲート線14に接続されている。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に設けられているとともに、チャネル領域と、チャネル領域の両側にそれぞれ位置したソース領域およびドレイン領域とを有する半導体層と、上記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、上記チャネル領域に対向してゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、上記ゲート電極は、その輪郭線が上記チャネル領域の上面の輪郭線の内側に含まれれるよう形成され、上記ゲート電極は、層間絶縁膜を介してゲート電極上に形成された接続電極によりゲート線に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 617 J
, G02F 1/136 500
