特許

J-GLOBAL ID：200903006517049011

高周波加熱装置

発明者： 三原 誠 ,  末永 治雄 ,  別荘 大介 ,  安井 健治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-294938
公開番号（公開出願番号）：特開2000-123964
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は200V電源におけるマグネトロン駆動用インバータ電源において、半導体スイッチング素子に低耐圧のIGBTを用いたものに関して商用電源投入時に生じる過渡応答による過大電圧から低耐圧の半導体スイッチング素子を保護することである。【解決手段】 整流フィルター部5の出力段にサージ電圧吸収用のサージアブソーバー16を備える。過渡現象的には比較的速やかに定常電圧まで収束するため、サージアブソーバー16に電流が流れて破壊することはない。

請求項（抜粋）：

商用電源を単方向電源に変換する単方向電源部と、前記単方向電源を整流・平滑する整流フィルター部と、前記整流フィルター部の単方向電源を少なくとも一個の半導体スイッチング素子のオン/オフで高周波交流電圧に変換するインバータ部を備え、前記整流フィルター部の出力にサージアブソーバーを配し前記商用電源投入時発生する過大電圧を吸収して前記半導体スイッチング素子の破壊を防止することを特徴とする高周波加熱装置。

IPC (4件)：

H05B 6/04 321 ,  H05B 6/04 331 ,  H05B 6/66 ,  H05B 6/68 330

FI (4件)：

H05B 6/04 321 ,  H05B 6/04 331 ,  H05B 6/66 B ,  H05B 6/68 330 F

Fターム (12件)：

3K059AA03 ,  3K059AD25 ,  3K059AD26 ,  3K059AD30 ,  3K059AD34 ,  3K059CD14 ,  3K086AA05 ,  3K086BA08 ,  3K086CD15 ,  3K086DB03 ,  3K086DB15 ,  3K086EA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-059989
  
• 高周波加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-186019   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平1-225089