特許
J-GLOBAL ID：200903006556185003

R-Fe-B系垂直磁気異方性薄膜磁石及びその製造方法

発明者：
奥田 高士

奥田 高士 について

, 
中西 昭男

中西 昭男 について


出願人/特許権者：
住友特殊金属株式会社

住友特殊金属株式会社 について


代理人 (1件)： 池条 重信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026385
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217124
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリングによる成膜方法において、保磁力と残留磁束密度の両方を著しく向上させることが可能なR-Fe-B系垂直磁気異方性薄膜磁石及びその製造方法の提供。【解決手段】 常温における熱伝導率が50W・m-1・K-1以上の耐熱性金属材料と常温における熱伝導率が1.1W・m-1・K-1以下の低熱伝導材料とからなる複合基板上に、基板を加熱せずに常温スパッタリングを行い、R-Fe-B系合金薄膜を成膜した後熱処理を施すか、あるいは、成膜したR-Fe-B系合金膜上に保護膜を成膜した後熱処理を施す。
請求項（抜粋）：
常温における熱伝導率が50W・m-1・K-1以上の耐熱性金属材料と常温における熱伝導率が1.1W・m-1・K-1以下の低熱伝導材料とからなる複合基板上に、常温スパッタリングにて成膜されかつ成膜後に熱処理された、膜面に対して垂直な磁気異方性を有するR-Fe-B系垂直磁気異方性薄膜磁石。
IPC (6件)：
H01F 10/14 ,  C21D 6/00 ,  C23C 14/14 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/18 ,  C22C 38/00 303
FI (6件)：
H01F 10/14 ,  C21D 6/00 B ,  C23C 14/14 F ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/18 ,  C22C 38/00 303 D
Fターム (23件)：
4K029AA02 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029AA25 ,  4K029BA17 ,  4K029BA26 ,  4K029BB02 ,  4K029BC06 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029GA01 ,  5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049BA01 ,  5E049BA16 ,  5E049CC01 ,  5E049DB02 ,  5E049DB04 ,  5E049EB06 ,  5E049GC01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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