特許
J-GLOBAL ID：200903066512605121
薄膜磁石およびその製造方法ならびに円筒形強磁性薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-216270
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083713
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 デバイスの超小型化、高性能化のため最大エネルギー積の高い薄膜磁石、およびラジアル異方性を有する円筒形強磁性薄膜を得ることを目的とする。【構成】 物理蒸着法によって作製され、Nd2Fe14B型の強磁性化合物を主相とし、膜厚方向に強い磁気異方性を有する(Nd1-xRx)yM1-y-zBz合金(RはTb、Ho、Dyより選ばれる少なくとも1種以上、MはFe金属、または、Co、Niより選ばれる少なくとも1種以上含むFe基合金)の組成を0.04≦x≦0.10、0.11≦y≦0.15、0.08≦z≦0.15の範囲とした薄膜磁石である。また、この組成の垂直磁化膜23を円柱(または円筒)基板22の側面に成膜する。【効果】 薄膜磁石は120kJ/m3以上の最大エネルギー積が得られ、円筒形強磁性薄膜はラジアル異方性を有する。
請求項（抜粋）：
物理蒸着法により作製され、Nd2Fe14B型の強磁性化合物を主相とする(Nd1-xRx)yM1-y-zBz合金(RはTb、Ho、Dyより選ばれる少なくとも1種以上、MはFe金属、または、Co、Niより選ばれる少なくとも1種以上を含むFe基合金)からなる薄膜磁石であって、その組成は0.04≦x≦0.10、0.11≦y≦0.15および0.08≦z≦0.15であることを特徴とする薄膜磁石。
IPC (2件)：
引用特許：
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