特許
J-GLOBAL ID:200903006584007994

臨界電流密度の高い酸化物超電導体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 今井 毅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-186629
公開番号(公開出願番号):特開2000-016811
出願日: 1998年07月01日
公開日(公表日): 2000年01月18日
要約:
【要約】【課題】 十分に高い臨界電流密度を比較的高い温度で達成できるRE-Ba-Cu-O酸化物バルク超電導体”を提供する。【解決手段】 RE-Ba-Cu-Oバルク超電導体を、そのREサイトがLa,Nd,Sm,Eu及びGdの2種以上の組み合わせで、かつそのうちの少なくとも1種はLa,Nd及びSmであり、残りが少なくともEu又はGdの何れか1種を含む構成とされ、そして母相がRE<SB>1+x </SB>Ba<SB>2-x </SB>Cu<SB>3 </SB>O<SB>y </SB>(但し-0.1 <x<0.2 で 6.7<y<7.1 )結晶からなると共に、粒径0.01〜0.5 μmの微細RE<SB>2</SB> BaCuO<SB>5 </SB>分散相が体積率で5〜50%含有されてなるものとする。この場合、REサイトのEu,Gdは合計で40重量%以下とするのが良く、また 微量のPtを含有していても良い。これにより、液体窒素温度における臨界電流密度が、結晶のc軸に3Tの磁場を平行に印加した状態で10000A/cm<SP>2</SP>以上にもなる。
請求項(抜粋):
RE-Ba-Cu-Oバルク超電導体(但しREはLa,Nd,Sm,Eu及びGdの2種以上の組み合わせで<HAN>、</HAN> かつそのうちの少なくとも1種はLa,Nd及びSmであり<HAN>、</HAN> 残りが少なくともEu又はGdの何れか1種を含む)であって、母相がRE<SB>1+x </SB>Ba<SB>2-x </SB>Cu<SB>3 </SB>O<SB>y </SB>(但し-0.1 <x<0.2 で 6.7<y<7.1 )結晶からなると共に、粒径0.01〜0.5 μmの微細RE<SB>2 </SB>BaCuO<SB>5 </SB>分散相が体積率で5〜50%含有されていることを特徴とする、臨界電流密度の高い酸化物超電導体。
IPC (5件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565
FI (5件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 A ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D
Fターム (14件):
4G047JA02 ,  4G047JB04 ,  4G047JC02 ,  4G047KC01 ,  4G077AA02 ,  4G077BC53 ,  4G077CD00 ,  4G077HA08 ,  5G321AA01 ,  5G321AA02 ,  5G321CA04 ,  5G321CA06 ,  5G321CA35 ,  5G321DB02
引用特許:
審査官引用 (3件)

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