チャネルに対するパッシブト・ショットキー障壁を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山川政樹 , 山川茂樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-527994
公開番号（公開出願番号）：特表2005-536047
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

トランジスタは、ゲート(270)の近くでありかつソース(250)とドレイン(260)との間の電気経路内に配置された半導体チャネル(220)を含み、チャネルとソースまたは当該ドレインの少なくとも一方とは、チャネル-界面層-ソース/ドレイン接合を形成するように界面層(230、240)によって分離されており、この接合の近くの領域内では半導体チャネルのフェルミ準位がピン止め解除されかつこの接合が約1000Ω-μm2未満の固有接触抵抗を有している。界面層は、チャネルの半導体の窒化物やフッ化物、酸化物、酸窒化物、水素化物、および/またはヒ化物などのパッシブ材料を含むことができる。場合によっては界面層は、本質的に、チャネルの半導体のフェルミ準位をピン止め解除するよう構成された単層、あるいは表面の化学的安定性が実現されるように半導体チャネルのすべてのまたは十分な数のダングリング・ボンドを終結させるのに十分な量のパッシブ材料からなる。また界面層は、パッシブ材料とは異なる材料の分離層を含んでもよい。分離層は、これを使用する場合、半導体チャネルの金属誘起ギャップ状態の影響を低減させるのに十分な厚さを有する。

請求項（抜粋）：

(i)チャネル内のコンダクタンスを制御するよう構成されたゲートの近くおよび(ii)少なくとも一方が金属で作製されているソースとドレインとの間の電気経路内に配置された半導体チャネルを含むトランジスタであって、当該チャネルと、金属で作製されている当該ソースおよび/または当該ドレインのどちらかとが、チャネル-界面層-ソース/ドレイン接合を形成するように界面層によって分離されており、当該接合の近くの領域内では半導体チャネルのフェルミ準位がピン止め解除されかつ当該接合が約1000Ω-μm2未満の固有接触抵抗を有するものであるトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L29/78

FI (5件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 616T , H01L29/78 618C , H01L29/78 301X , H01L29/78 301S

Fターム (53件)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE33 , 5F110FF01 , 5F110FF22 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG28 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK17 , 5F110HK32 , 5F110HM02 , 5F110HM03 , 5F140AA00 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BB01 , 5F140BB05 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG08 , 5F140BG11 , 5F140BG49 , 5F140BH05 , 5F140BH06 , 5F140BH07 , 5F140BH27 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ25 , 5F140BJ26 , 5F140BJ30 , 5F140BK09 , 5F140BK28

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-299077
オーム性接合電極およびこれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-347162 出願人：新電元工業株式会社
特開昭64-008613

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