オーム性接合電極およびこれを用いた半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-347162
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162874
出願日： 1997年12月01日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】シリコン基板上に金属膜を形成してオーミック電極を形成するとき、そのシリコン基板の不純物の数は理論上1cm3当たり1020個以上必要であるが、この不純物濃度よ売りも低いシリコン基板に対しても良好な低接触抵抗を示すオーム性接合電極を提供する。【解決手段】シリコン基板1とオーム接合用金属3との間にシリコンサブ酸化膜[SiOx(x=0.5,1.0,1.5)]2を介在せしめ且つ前記酸化膜の厚さを0.3nm〜2.25nmとしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板とオーム接合用金属との間にシリコンサブ酸化膜[SiOx(x=0.5,1.0,1.5)]を介在せしめ且つ前記酸化膜の厚さを0.3nm〜2.25nmとしたことを特徴とするオーム性接合電極。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-260320
コンタクト形成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-029979 出願人：ヤマハ株式会社

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