特許
J-GLOBAL ID:200903006590372181
光電変換素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-327963
公開番号(公開出願番号):特開2008-141103
出願日: 2006年12月05日
公開日(公表日): 2008年06月19日
要約:
【課題】孤立した半導体の発生を防ぎつつ、p-n接合界面の面積を増大させることができ、高い光電変換効率の有機物半導体層が配置された光電変換素子が得られる製造方法を提供する。【解決手段】第1の電極上に、第1の有機物半導体層(p型又はn型)を構成する第1の熱可塑性半導体樹脂を積層する工程と、積層した第1の熱可塑性半導体樹脂を、微細凹凸を有するモールドで押圧しながら、加熱して軟化させた後、冷却してからモールドから剥離することにより、表面に凹凸を有する第1の有機物半導体層を第1の電極上に形成する工程と、凹凸が形成された第1の有機物半導体層上に第2の有機物半導体層(n型又はp型)を形成する工程と、前記第2の有機物半導体層上に第2の電極を形成する工程とを備える光電変換素子の製造方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
第1及び第2の電極間に、一方がp型の熱可塑性半導体樹脂からなり、他方がn型の熱可塑性半導体樹脂からなる第1及び第2の有機物半導体層が配置された光電変換素子の製造方法であって、
第1の電極上に、第1の有機物半導体層を構成する第1の熱可塑性半導体樹脂を積層する工程と、
積層した第1の熱可塑性半導体樹脂を、微細凹凸を有するモールドで押圧しながら、加熱して軟化させた後、冷却してモールドから剥離することにより、表面に凹凸を有する第1の有機物半導体層を第1の電極上に形成する工程と、
凹凸が形成された第1の有機物半導体層上に第2の有機物半導体層を形成する工程と、
前記第2の有機物半導体層上に第2の電極を形成する工程とを備えることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (5件):
5F051AA11
, 5F051CB13
, 5F051CB30
, 5F051FA04
, 5F051GA03
引用特許:
出願人引用 (2件)
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有機太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-230249
出願人:株式会社日本触媒
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光電変換素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-257663
出願人:新日本石油株式会社
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