特許
J-GLOBAL ID:200903065536808590
光電変換素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森田 順之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-257663
公開番号(公開出願番号):特開2006-073900
出願日: 2004年09月03日
公開日(公表日): 2006年03月16日
要約:
【課題】 太陽光発電装置や太陽光発電システムなどに用いられる光電変換素子において、ドナー/アクセプターの相分離構造が制御された、良好な光電変換層を作製できる光電変換材料を提供する。【解決手段】 電子供与性(または電子受容性)を有する分子構造を含むブロックと水素結合形成能を有する分子構造を含むブロックから少なくとも構成されるブロック共重合体と、該ブロック共重合体の水素結合形成能を有する分子構造と水素結合を形成する電子受容性化合物(または電子供与性化合物)とからなる光電変換層を有する光電変換素子により前記課題が達成できる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
電子供与性を有する分子構造を含むブロックと水素結合形成能を有する分子構造を含むブロックから構成されるブロック共重合体と、該ブロック共重合体の水素結合形成能を有する分子構造と水素結合を形成する電子受容性化合物とからなる光電変換層を有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (3件):
H01L 51/42
, C08F 295/00
, C08L 53/00
FI (3件):
H01L31/04 D
, C08F295/00
, C08L53/00
Fターム (22件):
4J002BP03W
, 4J002CE00X
, 4J002EG076
, 4J002EU026
, 4J002EU046
, 4J002FD20X
, 4J002FD206
, 4J002GQ00
, 4J026HA19
, 4J026HA29
, 4J026HA40
, 4J026HB11
, 4J026HB28
, 4J026HB39
, 4J026HB44
, 4J026HB45
, 4J026HB46
, 4J026HE01
, 5F051AA11
, 5F051FA18
, 5F051GA03
, 5F051GA06
引用特許:
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