特許

J-GLOBAL ID：200903006604282970

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高橋 英樹 ,  青野 眞司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332172
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133555
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 耐圧を安定化する効果に優れたチャネルストップ構造を備える半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】 N-形シリコン基板1の上面上にはシリコン酸化膜2が形成されている。シリコン酸化膜2から露出している部分のN-形シリコン基板1の上面3内には、N+形不純物導入領域4が形成されている。N-形シリコン基板1の上面3内には、N+形不純物導入領域4よりも深いトレンチ5が形成されている。トレンチ5の内壁上にはシリコン酸化膜6が形成されている。トレンチ7内を充填してポリシリコン膜7が形成されている。N-形シリコン基板1の上面3上にはアルミニウム電極8が形成されている。アルミニウム電極8は、ポリシリコン膜7の上面及びN-形シリコン基板1の上面3に接触している。アルミニウム電極8はシリコン酸化膜2上に延在して形成されており、フィールドプレートを構成している。

請求項（抜粋）：

N形の半導体基板と、前記半導体基板の主面内に形成されて前記半導体基板との間で主接合を構成するP形の第1の不純物導入領域を有するトランジスタと、前記半導体基板の周縁部に形成されたチャネルストップ構造とを備える半導体装置であって、前記チャネルストップ構造は、前記半導体基板の前記主面内に形成された第1のトレンチを有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 改良された高周波スイッチング特性と降伏特性を備えたパワー半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-578852   出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
• パワーMOSFETのエッジターミネーション方法および構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-018399   出願人：シリコニックスインコーポレーテッド