半導体装置及び光電変換装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-081641
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288651
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】コストアップすることなく、外因性の静電気で装置が破壊されないようにする。【構成】半導体素子又は半導体回路が形成される素子配置領域302を絶縁基板100の外周に対し内側に配置するとともに、素子配置領域302の外周と絶縁基板100の外周との間の領域に、素子配置領域302内の金属層と同一の層で構成された配線301を素子配置領域302を囲むように配置し、配置された配線301のパターンの一部又は全部の外周300と前記絶縁基板の外周との幾何学的配置を同一とした。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、少なくとも一層又は二層以上の金属層と半導体層とを有する半導体素子又は半導体回路が形成された半導体装置において、前記半導体素子又は半導体回路が形成される素子配置領域を前記絶縁基板の外周に対し内側に配置するとともに、前記素子配置領域の外周と前記絶縁基板の外周との間の領域に、前記一層又は二層以上の金属層の少なくとも一層の金属層と同一の層で構成された配線を前記素子配置領域を囲むように配置し、配置された配線のパターンの一部又は全部の外周と前記絶縁基板の外周との幾何学的配置を同一としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H04N 1/028 , H01L 27/04 , H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-101165
特開昭62-142349
特開平3-101165

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